[发明专利]一种高阻尼Mg-Zn-Ca-Cu-Y-Zr镁合金在审

专利信息
申请号: 201711228542.4 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN109837439A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 罗天骄;杨院生;朱绍珍;王聪;李应举;冯小辉;韩小伟 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C22C23/04 分类号: C22C23/04;C22C1/03;C22F1/06
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于金属材料制备领域,具体涉及一种高阻尼Mg‑Zn‑Ca‑Cu‑Y‑Zr镁合金。合金中各元素的重量百分比为:3.0~5.0wt.%Zn,0.5~2.0wt.%Ca,0.5~1.0wt.%Cu,0.5~1.0wt.%Y,0.5~0.8wt.%Zr,杂质元素Si、Fe、Ni的总量小于0.02wt.%,余量为Mg。本发明通过在镁基体中添加Zn、Ca、Y、Cu元素形成少量的MgZnCa、Mg2Ca、MgZnCu和MgZnY相实现第二相强化,并通过添加Zr元素细化晶粒,所获得的合金具有良好的强度和塑性。而且本发明通过引入游离分布的MgZnCa、Mg2Ca、MgZnCu和MgZnY相与镁基体间的界面位错强钉轧阻尼机制及基体溶质原子的位错弱钉轧阻尼机制,使合金具有与纯镁相媲美的阻尼性能,室温条件下应变为10‑3时阻尼性能Q‑1达到0.18,可满足国防、电子及交通等领域对轻质高强阻尼材料的需求。
搜索关键词: 合金 阻尼机制 阻尼性能 高阻尼 镁合金 镁基体 位错 金属材料制备 重量百分比 晶粒 轻质高强 溶质原子 室温条件 杂质元素 阻尼材料 第二相 纯镁 细化 游离 引入 国防 交通
【主权项】:
1.一种高阻尼Mg‑Zn‑Ca‑Cu‑Y‑Zr镁合金,其特征在于,所述镁合金包含Zn、Ca、Cu、Y、Zr和Mg,其重量百分比如下:Zn 3.0~5.0%,Ca 0.5~2.0%,Cu 0.5~1.0%,Y 0.5~1.0%,Zr 0.5~0.8%,杂质元素总量小于0.02%,余量为Mg。
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