[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201711226136.4 申请日: 2017-11-21
公开(公告)号: CN109524379A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 蔡宇翔;陈欣鸿;赖佳平 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 半导体装置包含:导电结构与延伸至导电结构内并沿着第一表面接触导电结构的导电凸块。导电凸块是配置以在与第一表面相对的第二表面接合外部半导体装置,导电凸块在沿着第一表面是比沿着第二表面宽。
搜索关键词: 半导体装置 导电凸块 第一表面 导电结构 第二表面 接触导电 接合 外部 延伸 配置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:一导电结构;以及一导电凸块,延伸至该导电结构内,并沿着一第一表面接触该导电结构,其中该导电凸块配置以在一第二表面接合一外部半导体装置,该第二表面是相对于该第一表面,且该导电凸块沿着该第一表面是比沿着该第二表面宽。
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