[发明专利]存储元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711224826.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109841631A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张亘亘;卢棨彬 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储元件，包括：基底、堆叠层、通道结构、电荷储存结构、氮化硅层以及缓冲氧化物层。堆叠层配置于基底上。堆叠层包括相互堆叠的多个介电层与多个导体层。通道结构贯穿堆叠层。电荷储存结构环绕通道结构的侧壁。氮化硅层环绕导体层。缓冲氧化物层配置于导体层与氮化硅层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠层 氮化硅层 导体层 电荷储存结构 缓冲氧化物层 存储元件 通道结构 基底 环绕通道 介电层 侧壁 堆叠 配置 环绕 贯穿 制造 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：堆叠层，配置于基底上，其中所述堆叠层包括相互堆叠的多个介电层与多个导体层；通道结构，贯穿所述堆叠层；电荷储存结构，环绕所述通道结构的侧壁；氮化硅层，环绕所述导体层；以及缓冲氧化物层，配置于所述导体层与所述氮化硅层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
