[发明专利]基于光纤拉锥结合化学腐蚀制备光纤F‑P传感器的方法在审
| 申请号： | 201711216215.7 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107861192A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 祝连庆;周康鹏;何巍;张雯;娄小平;董明利;陈少华 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/25 | 分类号： | G02B6/25;G02B6/255 |
| 代理公司： | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11416 | 代理人： | 顾珊,庞立岩 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于光纤拉锥结合化学腐蚀制备光纤F‑P应变传感器的方法，通过拉锥结合化学腐蚀方法制备光纤上的F‑P微结构，来实现物理量的测量，拉锥后的光纤的纤芯和包层变细，测量应变时测量腔长变化会更明显，进而灵敏度更高，适合高精度测量；在锥形结构上又构造出F‑P结构会使传感灵敏度进一步提高。本发明制备的光纤F‑P应变传感器器件的结构简单，稳定性可靠，并可以根据要求制备不同腔长的器件，制备方法简便，其中拉锥和化学腐蚀技术成本较低，重复性高，易于实现器件的批量加工。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光纤 结合 化学 腐蚀 制备 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种基于光纤拉锥结合化学腐蚀制备光纤F‑P应变传感器的方法，包括以下步骤：S1：采用普通单模光纤，将其放置在高精度单芯熔接机中拉锥；S2：用切割刀将拉锥后的普通单模光纤从中间切断，并将其中一端置于40％的氢氟酸中腐蚀10分钟，直至被腐蚀的光纤端面形成凹槽；S3：将上述被腐蚀的光纤端面洗净残留氢氟酸，并与普通单模光纤另一端在熔接机中熔接，形成F‑P腔结构，得到光纤F‑P应变传感器器件。
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