[发明专利]一种用于超导计算机的磁性随机存储器在审

专利信息
申请号: 201711207639.7 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN109841645A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 叶力 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L43/08
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种适用于超导计算机的存储器存储位元设计方案,所述存储位元基于磁电阻自旋阀元件。所述存储位元在磁电阻自旋阀结构的基础上增设磁性辅助层,形成正交自旋阀结构,有助于在低温环境下实现写操作。上述设计方案包括磁矩平行于面内的磁性记忆层、磁性参考层,磁矩垂直于面内的磁性辅助层,以及插入其间的非磁性金属辅助层。存储位元利用记忆层的二元磁矩取向实现记录0、1数据信息,利用磁矩取向不同时存储位元的磁电阻效应实现对所存数据的读取。
搜索关键词: 存储位元 辅助层 超导计算机 自旋阀结构 磁矩取向 磁电阻 磁矩 磁性随机存储器 读取 磁电阻效应 存储器存储 非磁性金属 自旋阀元件 磁性记忆 低温环境 数据信息 参考层 记忆层 写操作 位元 正交 平行 垂直 增设 记录
【主权项】:
1.一种用于超导计算机的磁性随机存储器,其特征在于,包括存储位元阵列和超导电路,所述存储位元阵列与所述超导电路电连接,所述存储位元阵列包括若干个存储位元,所述存储位元为适于在10K以下环境温度工作的自旋阀元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司,未经上海磁宇信息科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711207639.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top