[发明专利]一种用于超导计算机的磁性随机存储器在审
申请号: | 201711207639.7 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN109841645A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 叶力 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/08 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于超导计算机的存储器存储位元设计方案,所述存储位元基于磁电阻自旋阀元件。所述存储位元在磁电阻自旋阀结构的基础上增设磁性辅助层,形成正交自旋阀结构,有助于在低温环境下实现写操作。上述设计方案包括磁矩平行于面内的磁性记忆层、磁性参考层,磁矩垂直于面内的磁性辅助层,以及插入其间的非磁性金属辅助层。存储位元利用记忆层的二元磁矩取向实现记录0、1数据信息,利用磁矩取向不同时存储位元的磁电阻效应实现对所存数据的读取。 | ||
搜索关键词: | 存储位元 辅助层 超导计算机 自旋阀结构 磁矩取向 磁电阻 磁矩 磁性随机存储器 读取 磁电阻效应 存储器存储 非磁性金属 自旋阀元件 磁性记忆 低温环境 数据信息 参考层 记忆层 写操作 位元 正交 平行 垂直 增设 记录 | ||
【主权项】:
1.一种用于超导计算机的磁性随机存储器,其特征在于,包括存储位元阵列和超导电路,所述存储位元阵列与所述超导电路电连接,所述存储位元阵列包括若干个存储位元,所述存储位元为适于在10K以下环境温度工作的自旋阀元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的