[发明专利]半导体硅片的清洗方法在审
| 申请号： | 201711203006.9 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109841496A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李容军 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体硅片的清洗方法，依次包括以下步骤：将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。本发明的清洗方法能高效去除半导体硅片的异常背面金属，从而提高半导体产品的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体硅片 双氧水 浸泡 清洗 氨水 半导体产品 混合溶液中 氢氟酸溶液 异丙醇溶剂 去离子水 成品率 臭氧水 混合液 氢氟酸 冲洗 去除 背面 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体硅片的清洗方法，依次包括以下步骤：将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司，未经东莞新科技术研究开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711203006.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
