[发明专利]一种形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆的回收方法有效
| 申请号： | 201711202497.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107946179B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 柏友荣;沈思情;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201604 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆的回收方法，属于集成电路制造技术领域。本发明的方法包括：1)将待回收晶圆废片浸入第一清洗液，浸泡以去除光刻胶层；所述待回收晶圆废片是：形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆；2)将经步骤1)处理后的产物浸入第二清洗液中，浸泡以去除多晶层；3)将经步骤2)处理后的产物浸入第三清洗液中，浸泡以去除金属电路；4)将经步骤3)处理后的产物浸入碱溶液中浸泡处理，浸泡完成后，回收得到晶圆。本发明的方法可以将芯片厂报废的图形片经过加工处理后再次使用，填补了国内芯片厂以前报废的图形片只能粉碎的情况，因而本发明对于提高芯片厂对晶圆的再次利用起到了极大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 集成电路 多晶 图形 化晶圆 回收 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆回收的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将待回收晶圆废片浸入第一清洗液，浸泡以去除光刻胶层；所述待回收晶圆废片是：形成有集成电路和多晶层的图形化晶圆；(2)将经步骤(1)处理后的产物浸入第二清洗液中，浸泡以去除多晶层；(3)将经步骤(2)处理后的产物浸入第三清洗液中，浸泡以去除金属电路；(4)将经步骤(3)处理后的产物浸入碱溶液中浸泡处理，浸泡完成后，回收得到晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
