[发明专利]基片处理装置和基片处理系统有效
| 申请号： | 201711188858.5 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108109940B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 小川洋一;石桥诚之;五味知之;竹马孝真;荻野贵史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在变更设定温度时，不需要长时间而使用小容量的供电设备，使载置基片的载置台等的被加热体升温至变更后的设定温度。本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括：PM400a～d，其具有对载置基片的载置台等的被加热体进行加热的加热部；和控制器300a～d，其具有温度控制部，上述温度控制部将加热部的驱动功率限制为容许功率以下并控制加热部将被加热体的温度调整至设定温度，温度控制部具有使驱动功率成为比容许功率低的限制功率以下的限制功能，在被加热体的设定温度变更了的情况下、将被加热体升温至变更后的设定温度的步骤中，上述限制功能是有效的，其中上述设定温度变更了的情况包括基片处理装置的启动时在内。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 系统 | ||
【主权项】：
1.一种对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：加热部，其对包括载置基片的载置台的被加热体进行加热；和温度控制部，其一边将该加热部的驱动功率限制为容许功率以下，一边控制该加热部将所述被加热体的温度调整至设定温度，所述温度控制部具有使所述驱动功率成为比所述容许功率低的限制功率以下的限制功能，在所述被加热体的设定温度变更了的情况下、将所述被加热体升温至变更后的所述设定温度的步骤中，使所述限制功能有效，其中，所述设定温度变更了的情况包括基片处理装置的启动时在内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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