[发明专利]显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置有效
| 申请号： | 201711175239.2 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107978521B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 高涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/311;H01L21/3115;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置，该切割方法包括：在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，缓冲层和层间绝缘层都覆盖显示面板的边缘区域；去除边缘区域位置处的部分层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分缓冲层；对暴露出的缓冲层进行离子注入处理；沿切割线进行切割。由于对暴露出的缓冲层进行了离子注入处理，使得经过离子注入处理后的缓冲层变为低应力膜层，这时切割外力导致的膜层开裂就不会继续往显示屏内部延伸，能够提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 面板 母板 切割 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示面板母板的切割方法，其特征在于，所述显示面板母板包括多个显示面板，且每个所述显示面板边缘区域设置有切割线；该切割方法包括：在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，所述缓冲层和所述层间绝缘层都覆盖所述显示面板的边缘区域；去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分所述缓冲层；对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理；沿所述切割线进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
