[发明专利]形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层的方法有效
| 申请号： | 201711166366.6 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108085742B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | S·埃尔卡兹;C·梅克林 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;郭辉 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层的方法。本发明概念涉及用于在布置在分子束外延生长工具(100)的加工室(102)中的基材(152)上形成过渡金属二硫属化物(TMDC)材料层(150)的方法(200)。方法(200)包括：从固体金属源(110a、110b、110c)蒸发(202)金属；形成(204)包含硫属化物的气体等离子体，以及将蒸发的金属和包含硫属化物的气体等离子体引入(206)加工室(102)，从而在基材(152)上形成TMDC材料层(150)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 过渡 金属 二硫属化物 tmdc 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.用于在布置在分子束外延生长工具(100)的加工室(102)中的基材(152)上形成过渡金属二硫属化物TMDC材料层(150)的方法(200)，所述方法(200)包括：从固体金属源(110a、110b、110c)蒸发(202)金属；形成(204)包含硫属化物的气体等离子体，以及将蒸发的金属和包含硫属化物的气体等离子体引入(206)到加工室(102)中，从而在基材(152)上形成TMDC材料层(150)。
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