[发明专利]改善晶元表面应力的方法在审
| 申请号： | 201711165444.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107968039A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 夏余平;蒋阳波;汪亚军;李君;张静平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种改善晶元表面应力的方法，包括在Si晶元正面和背面分别依次沉积二氧化碳硅和SIN；在SIN表面再沉积一层二氧化硅，以保护SIN；利用湿法批/单一以及化学药品选择比去除晶元正面和背面的二氧化硅以及去除晶元正面SIN和晶元背面的部分SIN。本方法可以使晶元应力达到需要的程度，能够减少晶圆中心和边缘覆盖以及临界尺寸差异，减少边缘剥离的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 表面 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶元表面应力的方法，包括：在Si晶元正面和背面分别依次沉积二氧化碳硅和SIN；在SIN表面再沉积一层二氧化硅，以保护SIN；去除晶元正面和背面的二氧化硅；去除晶元正面SIN；去除晶元背面的部分SIN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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