[发明专利]一种在薄膜中形成斜面的方法在审
| 申请号： | 201711139722.5 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109795977A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王诗男 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种在薄膜中形成斜面的方法，包括：在薄膜的表面形成保护膜图形，在所述保护膜图形中形成有开口；在所述开口周围的保护膜图形与所述薄膜之间，形成空洞，所述空洞与所述开口连通；以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向异性刻蚀，在所述薄膜中形成侧壁；以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向同性刻蚀，以使所述侧壁成为相对于所述薄膜的表面的法向倾斜的斜面。根据本申请，在形成斜面的过程中，能够对斜面顶部的薄膜的形状进行精确地控制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 保护膜图形 开口 侧壁 掩膜 空洞 表面形成保护膜 各向同性刻蚀 各向异性刻蚀 开口周围 法向 连通 申请 | ||
【主权项】：
1.一种在薄膜中形成斜面的方法，包括：在薄膜的表面形成保护膜图形，在所述保护膜图形中形成有开口；在所述开口周围的保护膜图形与所述薄膜之间，形成空洞，所述空洞与所述开口连通；以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向异性刻蚀，在所述薄膜中形成侧壁；以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向同性刻蚀，以使所述侧壁成为相对于所述薄膜的表面的法向倾斜的斜面。
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