[发明专利]一种在薄膜中形成斜面的方法

说明书

本申请提供一种在薄膜中形成斜面的方法，包括：在薄膜的表面形成保护膜图形，在所述保护膜图形中形成有开口；在所述开口周围的保护膜图形与所述薄膜之间，形成空洞，所述空洞与所述开口连通；以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向异性刻蚀，在所述薄膜中形成侧壁；以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向同性刻蚀，以使所述侧壁成为相对于所述薄膜的表面的法向倾斜的斜面。根据本申请，在形成斜面的过程中，能够对斜面顶部的薄膜的形状进行精确地控制。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种倾斜面的制造方法。

背景技术

在半导体器件，特别是微机电系统(MEMS)器件的制造过程中，常常把薄膜加工成某种凸凹构造，然后在凸凹构造的表面形成无断缝或开孔的连续覆盖膜。但是，当薄膜比较厚时，如果凸凹构造的侧壁比较陡峭，覆盖膜往往会在凸凹构造的侧壁附近变薄、甚至断裂，致使器件功能低下或是后续加工困难。

为了在凸凹构造的表面形成无断缝或开孔的连续覆盖膜，一个常用的办法是把凸凹构造的侧壁加工成斜坡形状。在现有技术中，为了得到斜坡形状，一个常用的办法是在加工形成薄膜的凸凹构造时，故意降低薄膜和覆盖薄膜的保护膜之间的密接程度，然后用腐蚀液对薄膜进行各向同性的湿法腐蚀，由此，在凸凹构造的侧壁形成斜坡形状。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请的发明人发现，在上述现有的形成斜坡形状的技术中，由于薄膜和保护膜之间的密接程度较低，腐蚀液在保护膜开口处腐蚀薄膜的同时，会渗透到保护膜开口周围的保护膜和薄膜之间，将接触到的薄膜腐蚀掉。这样，虽然可以得到斜坡形状的薄膜侧壁，但是凸凹构造的顶部形状很难控制，使微细构造加工的尺寸和形状精度都受到限制。

下面，结合附图来说明上述问题。图1是现有的形成斜坡形状的技术的一个示意图。其中，图1(A)是形成斜坡形状之前的一个示意图，图1(B)是形成斜坡形状之后的一个示意图。如图1(A)所示，薄膜101位于基板100表面，保护膜102位于薄膜101表面，在进行各向同性的腐蚀之前，在保护膜102中形成开口1021。以保护膜102为掩模，进行各向同性腐蚀，由于保护膜102与薄膜101之间的接密程度较低，一方面，便于腐蚀液进入保护膜与薄膜之间，形成斜坡形状，另一方面，腐蚀液进入保护膜与薄膜之间的深度难以控制，因此，斜坡的顶部形状难以控制。

图1(B)是形成斜坡的示意图，如图1(B)所示，101b是预期要得到的斜坡形状，但是，腐蚀液进入到了保护膜与薄膜之间的预期之外的位置，例如虚线圈101c所示的位置，因此，斜坡的顶部的形状难以被控制；并且，斜坡的实际形状变成101a，与预期的形状101b不同，也就是说，斜坡的形状也难以控制。

本申请提供一种在薄膜中形成斜面的方法，在保护膜的开口周围形成位于保护膜与薄膜之间的空洞，在空洞处使薄膜暴露，便于腐蚀，因此，在保护膜与薄膜接触的位置，可以具有较高的密接程度，在形成斜面的过程中，能够对斜面顶部的薄膜的形状进行精确地控制。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种在薄膜中形成斜面的方法，包括：

在薄膜的表面形成保护膜图形，在所述保护膜图形中形成有开口；

在所述开口周围的保护膜图形与所述薄膜之间，形成空洞，所述空洞与所述开口连通；

以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向异性刻蚀，在所述薄膜中形成侧壁；

以所述保护膜图形作为掩膜，经由所述开口对所述薄膜进行各向同性刻蚀，以使所述侧壁成为相对于所述薄膜的表面的法向倾斜的斜面。