[发明专利]一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法及存储器有效
| 申请号： | 201711139411.9 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107833588B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 方振;徐二江 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法及存储器，所述制备方法包括在垂直方向构建自旋转移矩磁隧道结(STT‑MTJ)，具体构建方法包括以下步骤：提供氧化硅薄膜和磁性薄膜相互间隔的薄膜堆叠结构；在所述薄膜堆叠结构上纵向刻蚀，形成贯穿薄膜堆叠结构的窄沟道；在所述窄沟道中填充氧化铝介电层；回刻所述氧化铝，以去除除窄沟道外其余部分的氧化铝薄膜；形成电极，具体为在薄膜堆叠结构的外面形成电极；回刻所述电极，具体为除去薄膜堆叠结构上部的电极而保留侧面的电极。所述方法将旋转移矩磁隧道结能够在垂直方向进行构件，从而可以显著提高单元存储密度，可以使3D MRAM能够替代3D NAND。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 自旋 转移 mram 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括在垂直方向构建自旋转移矩磁隧道结STT‑MTJ，具体构建方法包括以下步骤：提供氧化硅薄膜和磁性薄膜相互间隔的薄膜堆叠结构；在所述薄膜堆叠结构上纵向刻蚀，形成贯穿薄膜堆叠结构的窄沟道；在所述窄沟道中填充氧化铝介电层；回刻所述氧化铝，以去除除窄沟道外其余部分的氧化铝薄膜；形成电极，具体为在薄膜堆叠结构的外面形成电极；回刻所述电极，具体为除去薄膜堆叠结构上部的电极而保留侧面的电极。
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