[发明专利]刻蚀腔体的聚合物清洁方法有效
| 申请号： | 201711121422.4 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108054115B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;昂开渠;吴晓彤;江旻;唐在峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀腔体的聚合物清洁方法，包括步骤：步骤一、收集刻蚀腔体的前批次晶圆的透光率；步骤二、根据收集到的透光率计算刻蚀腔体的自清洁工艺的参数；步骤三、根据设定的参数进行刻蚀腔体的自清洁工艺；步骤四、进行后批次晶圆的刻蚀工艺。本发明能实现对刻蚀腔体的聚合物的良好清洁，消除刻蚀腔体的聚合物积累，从而能消除首枚效应，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 聚合物 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、收集刻蚀腔体的前批次晶圆的透光率；步骤二、在后批次晶圆的刻蚀工艺之前，根据收集到的所述前批次晶圆的透光率计算所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数，利用所述前批次晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数的相关性使所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数调节到能消除所述后批次晶圆的首枚晶圆的关键尺寸的漂移；步骤三、根据步骤二中设定的参数进行所述刻蚀腔体的自清洁工艺，实现对所述刻蚀腔体的腔壁上的聚合物的清洁；步骤四、进行所述后批次晶圆的刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
