[发明专利]一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，包括提供发光结构，对所述发光结构进行刻蚀，在发光结构表面沉积一层绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，形成第一孔洞和第二孔洞，在所述绝缘层表面、第一孔洞内和第二孔洞内依次形成透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层。通过在所述第一半导体层、有源层和第二半导体层在表面或侧边形成所述绝缘层，使所述绝缘层覆盖在发光结构的裸露部分，从而防止Ag在第一半导体层和第二半导体层形成的电场作用下迁移到有源层的裸露部分，提高芯片的IR良率。进一步地，覆盖在所述绝缘层上的Ag镜反射层，可将发光结构侧边发出的光有效地反射出去，从而提高芯片出光效率。

主权项

一种具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，包括：提供发光结构，所述发光结构包括衬底和外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层的中心区域和边缘区域；在所述发光结构表面沉积一层绝缘层，并对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的第一孔洞和第二孔洞，并将所述中心区域和边缘区域对应的第一半导体层裸露出来；在所述绝缘层表面、第一孔洞内和第二孔洞内依次形成透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层；对所述DBR反射层进行刻蚀，形成贯穿所述DBR反射层的第三孔洞；在所述中心区域内沉积金属电极层形成第一电极，在所述第三孔洞内沉积金属电极层形成第二电极。