[发明专利]接触孔的金属连接结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711102829.2 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN108054135B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 韩朋刚;习艳军;贺可强;杨渝书 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L27/11517
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种接触孔的金属连接结构,包括:接触孔,形成于接触孔层介质膜中;接触孔层介质膜表面依次形成有自对准层介质膜和金属层介质膜;在自对准层介质膜的表面形成有打开定义金属连接通孔的形成区域的结构;金属层的形成区域由对金属层介质膜进行介质膜刻蚀形成,金属连接通孔的形成区域的自对准层介质膜在对金属层介质膜进行介质膜刻蚀的过程中被同时刻蚀去除,使金属连接通孔和金属层的形成区域呈自对准的一体化金属连接结构。本发明还公开了一种接触孔的金属连接结构的制造方法。本发明能使金属连接结构的通孔和正面金属层的形成区域呈自对准的一体化结构,从而有利于金属填充,降低工艺复杂度和工艺成本。
搜索关键词: 接触 金属 连接 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种接触孔的金属连接结构,其特征在于,包括:接触孔,形成于接触孔层介质膜中;在所述接触孔层介质膜表面形成有自对准层介质膜;在所述自对准层介质膜的表面形成有金属层介质膜;金属连接通孔形成于所述自对准层介质膜中且位于对应的所述接触孔的顶部;金属层形成于所述金属层介质膜中;在所述自对准层介质膜的表面形成有打开定义所述金属连接通孔的形成区域的结构;所述金属层的形成区域由对所述金属层介质膜进行介质膜刻蚀形成,所述金属连接通孔的形成区域位于所述金属层的形成区域底部的局部区域中,所述金属连接通孔的形成区域的所述自对准层介质膜在对所述金属层介质膜进行介质膜刻蚀的过程中被同时刻蚀去除,使所述金属连接通孔和所述金属层的形成区域呈自对准的一体化金属连接结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711102829.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top