[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，其包括第一类型的第一主动区、第二类型的第二主动区及多个栅极。栅极配置在第一主动区及第二主动区之上并横跨第一主动区及第二主动区。在多个栅极的第一栅极的第一侧处，第一主动区的第一区域用以接收第一电压，以及第二主动区的第一区域用以接收第二电压。在第一栅极的第二侧处，第一主动区的第二区域与第一电压断开，以及第二主动区的第二区域与第二电压断开。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一类型的一第一主动区；一第二类型的一第二主动区；以及多个栅极，配置在该第一主动区及该第二主动区之上并横跨该第一主动区及该第二主动区，其中在该多个栅极的一第一栅极的一第一侧处，该第一主动区的一第一区域用以接收一第一电压，以及该第二主动区的一第一区域用以接收一第二电压，以及在该第一栅极的一第二侧处，该第一主动区的一第二区域与该第一电压断开，以及该第二主动区的一第二区域与该第二电压断开。