[发明专利]电平移位电路有效
| 申请号： | 201711090022.1 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107707247B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 河崎阳一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K3/356;G11C16/08;G11C16/12;G11C16/14;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电平移位电路包括：包含第一(Q5、Q7)和第二(Q6、Q8)反相器电路的锁存电路(Q5、Q6、Q7、Q8)；由输入信号动作的第一输入用MOS晶体管(Q1)；由输入信号反转信号动作的第二输入用MOS晶体管(Q2)；电流电压控制用MOS晶体管(Q9)。锁存电路(Q5、Q6、Q7、Q8)输出将输入电压的电平转换后电压。第一和第二输入用MOS晶体管(Q1、Q2)通过栅极端子接收输入信号，根据输入信号驱动锁存电路(Q5、Q6、Q7、Q8)。电流电压控制用MOS晶体管(Q9)设在输入用MOS晶体管(Q1、Q2)和锁存电路(Q5、Q6、Q7、Q8)之间，在栅极端子接收控制电压输入，根据锁存电路反转动作驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
一种电平移位电路，其特征在于，包括：被施加工作电压的锁存电路；第一MOS晶体管，其栅极端子被输入输入信号，用于驱动所述锁存电路；第二MOS晶体管，其栅极端子被输入所述输入信号的反转信号，用于驱动所述锁存电路；第三MOS晶体管，其配置在所述锁存电路与所述第一MOS晶体管之间，通过栅极端子接受第一控制电压而进行开闭动作；第四MOS晶体管，其配置在所述锁存电路与所述第二MOS晶体管之间，通过栅极端子接受所述第一控制电压而进行开闭动作；以及电流电压控制用MOS晶体管，其连接于所述锁存电路，通过栅极端子接受第二控制电压，所述电流电压控制用MOS晶体管在基于所述输入信号的反转动作时截止。
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