[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201711089437.7 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108091740B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、GaN层、N型层、多量子阱层、插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层、P型接触层，插入层为AlN层，AlN层的厚度为1～30nm，低温P型层为AlInGaN层，电子阻挡层的厚度为8～40nm。通过AlN层和AlInGaN层相配合，优化P层能带，形成多导带势垒阻挡电子迁移，从而可以减薄电子阻挡层的厚度，防止电子阻挡层较厚会产生一个高的价带带阶阻碍空穴向多量子阱层迁移，进而提高了电子和空穴的复合几率，提高LED的发光效率，且通过P层势垒的优化，可以控制插入层与P型层的厚度，从而改善出光效率，提高器件发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、GaN层、N型层、多量子阱层、插入层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，其特征在于，所述插入层为AlN层，所述AlN层的厚度为1～30nm，所述低温P型层为AlInGaN层，所述电子阻挡层的厚度为8～40nm。
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