[发明专利]一种连接孔结构的制备方法在审
| 申请号： | 201711071620.4 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107946190A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张成铖;丁振宇;刘志攀;陈幸 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种连接孔结构的制备方法，其中，包括步骤S1，提供上表面制备有一钨金属层的晶圆；步骤S2，于钨金属层的上表面依次制备一氧化层和一非定型碳薄膜层；步骤S3，采用一光刻工艺于非定型碳薄膜层和钨金属层内形成通孔；步骤S4，采用一等离子刻蚀工艺去除非定型碳薄膜层；其中，步骤S4中，等离子刻蚀工艺采用的反应气体为氮气和氢气的混合气体；不会对钨金属层产生影响，保证了钨金属层的完整，进而保证器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连接 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种连接孔结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供上表面制备有一钨金属层的晶圆；步骤S2，于所述钨金属层的上表面依次制备一氧化层和一非定型碳薄膜层；步骤S3，采用一光刻工艺于所述非定型碳薄膜层和所述钨金属层内形成通孔；步骤S4，采用一等离子刻蚀工艺去除所述非定型碳薄膜层；其中，所述步骤S4中，所述等离子刻蚀工艺采用的反应气体为氮气和氢气的混合气体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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