[发明专利]有源器件阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种有源器件阵列基板及其制作方法，包括基板、第一有源器件、第二有源器件、栅绝缘层以及绝缘阻挡层。第一有源器件包括第一栅电极、第一半导体块、第一源电极与第一漏电极。第二有源器件包括第二栅电极、第二半导体块、第二源电极与第二漏电极。第二源电极与第二漏电极的膜层相同于第一源电极或第一漏电极。栅绝缘层位于第一栅电极与第一半导体块之间也位于第二栅电极与第二半导体块之间。绝缘阻挡层配置于栅绝缘层上，且覆盖第一半导体块。绝缘阻挡层配置于第一源电极与第一漏电极之间且具有第一贯孔供第一源电极与第一漏电极的一者接触第一半导体块。有源器件阵列基板兼顾不同电路需求以增益有源器件阵列基板可提供的效能。

主权项

1.一种有源器件阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一有源器件，配置于所述基板上并包括第一栅电极、第一半导体块、第一源电极与第一漏电极，其中所述第一源电极与所述第一漏电极接触所述第一半导体块且彼此分离；第二有源器件，配置于所述基板上并包括第二栅电极、第二半导体块、第二源电极与第二漏电极，其中所述第二源电极与所述第二漏电极接触所述第二半导体块且彼此分离，而所述第二源电极与所述第二漏电极的膜层相同于所述第一源电极或所述第一漏电极；栅绝缘层，配置于所述基板上，其中所述第一栅电极与所述第二栅电极位于所述栅绝缘层与所述基板之间，且所述栅绝缘层位于所述第一栅电极与所述第一半导体块之间也位于所述第二栅电极与所述第二半导体块之间；以及绝缘阻挡层，配置于所述栅绝缘层上，且覆盖所述第一半导体块，所述绝缘阻挡层具有第一贯孔，其中所述绝缘阻挡层配置于所述第一源电极与所述第一漏电极之间，所述第一源电极与所述第一漏电极的一者通过所述第一贯孔接触所述第一半导体块，另一者则位于所述栅绝缘层与所述绝缘阻挡层之间。