[发明专利]一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法在审
| 申请号： | 201711055317.5 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107932340A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈铭欣;刘明章;王士玮;吴柯宏;李源萍;林永活;赵斌 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | B24C1/08 | 分类号： | B24C1/08;B24C5/00;B24C9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362411 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，包括如下步骤首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，喷砂机构以一定的喷射角度将磨料往晶片表面往复、旋转喷射轰击，直到晶片表面均匀完整的粗化。本发明通过磨砂机构对晶片的表面进行打磨，直到晶片的表面均匀完整的粗化，通过减震平台避免砂粒喷射在晶片表面上瞬间力量过大导致晶片破碎，用以实现厚度＜350um以下的超薄超平坦单面抛光基板备置，解决了传统的单面抛光工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)/铌酸锂(LiNBO3；LN)的平坦度要求，即使习知的双抛工艺具备较好的平坦化制程能力，但也受限晶体本身为透明的特性，而无法直接将抛光后的晶片应用于后段制程上的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单面 抛光 超薄 平坦 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，将晶片放置于吸附载台上，喷砂机构以一定的喷射角度将磨料往晶片表面往复、旋转喷射轰击，直到晶片表面均匀完整的粗化。
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