[发明专利]一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件有效
申请号: | 201711049783.2 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107846215B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 游龙;罗时江;李欣 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H03K19/17728 | 分类号: | H03K19/17728 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件,属于逻辑门电路技术领域。本发明所述逻辑器件为重金属层和铁磁层的双层结构;铁磁层由两条平行纳米线轨道局部相连构成;在两条纳米线轨道的左端各放置一个MTJ作为输入端,在其中一条纳米线轨道的右端放置一个MTJ作为输出端;对输入端施加电压或电流脉冲,产生斯格明子;输出端用于检测斯格明子;对输出控制端施加正负电压或电流脉冲,用于实现输出端高低电位的输出;分别在纳米线轨道的两个连接处之间设置两个传输控制端。本发明的一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件通过对输出控制端、传输控制端施加不同状态的电压或电流的组合,实现与、或、非、与非和或非逻辑功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 磁性 明子 可重构 逻辑 器件 | ||
【主权项】:
一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件,其特征在于,所述逻辑器件为重金属层(1)和铁磁层(2)的双层结构;铁磁层由两条平行纳米线轨道局部相连构成;在两条纳米线轨道的左端各放置一个MTJ(3)作为输入端(8和9),在其中一条纳米线轨道的右端放置一个MTJ(3)作为输出端(11)。
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