[发明专利]碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法及碲镉汞焦平面探测器芯片

摘要

本发明公开了一种大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法及碲镉汞焦平面探测器芯片，本发明通过在大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片上刻蚀浅槽，通过隔离槽将大面阵芯片“分割”为多个小面阵区域，小面阵的面积变小，应力降低；同时可以随浅沟槽自由伸缩释放应力，避免芯片碎裂。

主权项

一种大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法，其特征在于，包括：通过接触式光刻，在碲镉汞膜层上形成均匀分布的浅槽图形；通过电感耦合等离子体工艺刻蚀带有光刻图形的碲镉汞薄膜；通过电感耦合等离子体工艺刻蚀碲镉汞，形成浅槽。