[发明专利]掩模建模方法有效
| 申请号： | 201710979135.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN108121150B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 赖建任;周欣;彭丹平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种掩模建模方法，包括：接收一掩模布局，掩模布局包括一非曼哈顿图案，其中非曼哈顿图案包括二或多个曲线边缘；将一无交互作用的掩模模型应用于掩模布局；将一边缘交互作用的模型应用于掩模布局的至少非曼哈顿图案，边缘交互作用的模型描述由彼此交互作用的曲线边缘的多个组合所引起的影响；将一薄掩模模型应用于掩模布局；以及基于无交互作用的掩模模型的应用、边缘交互作用的模型的应用以及薄掩模模型的应用来决定一近场。 | ||
| 搜索关键词： | 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种掩模建模方法，包括：接收一掩模布局；将一无交互作用的掩模模型应用于上述掩模布局；将一边缘交互作用的模型应用于上述掩模布局，上述边缘交互作用的模型描述因两或多个彼此交互作用的边缘的多组合所引起的影响；将一薄掩模模型应用于上述掩模布局；以及根据上述无交互作用的掩模模型的应用、上述边缘交互作用的模型的应用以及上述薄掩模模型的应用来决定一近场。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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