[发明专利]半导体集成电路及其操作方法及包括其的电子设备有效

专利信息
申请号: 201710968913.6 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN108011408B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 李圣祐;吴亨锡;李光燦 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴晓兵
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体集成电路可以包括再充电开关和无线再充电/MST单元。再充电开关通过中间节点与电池连接,并提供用于以有线充电模式对电池进行有线充电的电流路径。无线再充电/MST单元连接在中间节点和地之间。无线再充电/MST单元在有线充电模式下将中间节点与地断开,在无线充电模式下通过中间节点向电池提供无线充电电流,并且在磁安全传输(MST)模式下通过中间节点从电池被提供用于产生磁信号的电流。
搜索关键词: 半导体 集成电路 及其 操作方法 包括 电子设备
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:通过中间节点连接到电池的再充电开关,所述再充电开关被配置为如果所述半导体集成电路以有线充电模式操作,则选择性地形成用于对所述电池进行有线充电的电流路径;以及在所述中间节点和地之间的无线再充电/MST装置,所述无线再充电/MST装置被配置为:如果所述半导体集成电路以有线充电模式操作,则将所述中间节点与地断开,如果所述半导体集成电路以无线充电模式操作,则通过所述中间节点向所述电池提供无线充电电流,以及如果所述半导体集成电路以磁安全传输MST模式操作,则通过所述中间节点从所述电池接收电流,所述无线再充电/MST装置被配置为基于所述电流产生磁信号。
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