[发明专利]电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用

摘要

本发明公开了一种电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用，所述电介质纳米砖阵列结构，包括衬底和衬底上的电介质纳米砖阵列；其中，电介质纳米砖阵列由电介质纳米砖周期性排列构成；电介质纳米砖为正四棱柱形，其底面为正方形，且其长宽高均为亚波长尺寸。将该电介质纳米砖阵列结构用作高反膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得工作波长下s波和p波入射时均能产生Mie谐振；将该电介质纳米砖阵列结构用作高透膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得混合层的等效折射率介于混合层周围介质的折射率和衬底折射率之间。本发明基于电介质纳米砖阵列结构的高反膜和高透膜在整个通信波段内均具有较高的工作效率。

主权项

1.一种电介质纳米砖阵列结构用作高透膜的应用，所述电介质纳米砖阵列结构包括衬底和衬底上的电介质纳米砖阵列；所述电介质纳米砖阵列由电介质纳米砖周期性排列构成，其中，电介质纳米砖阵列中的横向间距和纵向间距相等；所述电介质纳米砖为正四棱柱形，其底面为正方形，且其长宽高均为亚波长尺寸；其特征是：将所述电介质纳米砖阵列结构用作高透膜，并优化所述电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得混合层的等效折射率n介于混合层周围介质的折射率n₀和衬底折射率n_G之间；所述结构参数包括电介质纳米砖的长、宽、高，以及电介质纳米砖阵列的周期，所述周期为电介质纳米砖阵列中横向和纵向上相邻电介质纳米砖的中心轴的距离；所述混合层指将电介质纳米砖层看成电介质纳米砖和空气的混合层。