[发明专利]三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710899771.2 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN107867695A 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 岸亮太;石田昌彦;祢津茂义 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 满凤,金龙河
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法。本发明提供一种三氯硅烷的纯化技术,在由含有烃类的氯硅烷馏分纯化出高纯度三氯硅烷时,无需将大量的氯硅烷排出至体系外,并且也能够容易地进行反应控制。本发明中,为了使氯硅烷馏分中含有的烃类的分离变得容易,在纯化系统中设置通过热解进行低沸点化的工序。由此,在三氯硅烷的纯化循环中进行基于烃类的热解的低沸点化和分离,无需将大量的氯硅烷类排出至体系外。其结果,三氯硅烷的制造效率提高,也不会产生多晶硅的收率降低的问题。
搜索关键词: 硅烷 纯化 系统 多晶 制造 方法
【主权项】:
一种三氯硅烷的纯化系统,其是用于由含有烃类的氯硅烷馏分得到高纯度三氯硅烷的系统,其具备:将所述氯硅烷馏分中的烃类热解而进行低沸点化的热解反应器、和将从所述热解反应器输送来的所述氯硅烷馏分中含有的三氯硅烷与其他成分分离的蒸馏器。
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