[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201710889719.9 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107887301A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 武艳萍;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括对石墨盘进行烘烤，清洁石墨盘的表面；在将石墨盘放置在金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD反应腔内之后，轮流将多个衬底放置在石墨盘上，并分别在各个衬底放置在石墨盘上时，向MOCVD反应腔内通入MO源，在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，形成外延片，多量子阱层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，量子阱层的材料为铟镓氮。本发明通过在清洁一次石墨盘的表面之后，轮流将多个衬底上形成外延片，大大减少了清洁石墨盘表面的次数，极大地提高了外延片的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：对石墨盘进行烘烤，清洁所述石墨盘的表面；在将所述石墨盘放置在金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD反应腔内之后，轮流将多个衬底放置在所述石墨盘上，并分别在各个所述衬底放置在所述石墨盘上时，向所述MOCVD反应腔内通入MO源，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，形成外延片，所述多量子阱层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子阱层的材料为铟镓氮。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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