[发明专利]一种钽酸锂晶片的抛光方法有效
| 申请号： | 201710880312.X | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107378654B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 沈浩;顾鑫怡;徐秋峰;归欢焕;丁孙杰 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王丽丹;吴关炳 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钽酸锂晶片的抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的钽酸锂晶片，用粒度为5～20um的磨料研磨，获得表面具有粗糙结构的钽酸锂研磨片；b)将钽酸锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合酸的密闭容器中直接进行化学腐蚀，使钽酸锂晶片的粗糙度＜200nm，平坦度＜5um，获得表面随机无序凹坑结构的钽酸锂腐蚀片；c)将钽酸锂腐蚀片用单抛机和抛光液进行单面抛光，抛光压力为0.005～1MPa，使钽酸锂晶片的粗糙度＜0.5nm，平坦度＜3um，获得钽酸锂单抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的钽酸锂晶片表面平坦度高，这一特征决定了钽酸锂晶片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂基片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钽酸锂晶片的抛光方法，具体包括如下步骤：a)将切割后的钽酸锂晶片，用粒度为5～20um的磨料研磨，使钽酸锂晶片的粗糙度＜300nm，平坦度＜10um，再进行超声清洗，获得表面具有粗糙结构的钽酸锂研磨片；b)将钽酸锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合酸的密闭容器中直接进行化学腐蚀，腐蚀温度为25℃，腐蚀时间为1～16小时，使钽酸锂晶片的粗糙度＜200nm，平坦度＜5um，再进行超声清洗，获得表面随机无序凹坑结构的钽酸锂腐蚀片；c)将钽酸锂腐蚀片用单抛机和抛光液进行单面抛光，抛光压力为0.005～1MPa，抛光温度为20～45℃，使钽酸锂晶片的粗糙度＜0.5nm，平坦度＜3um，凹坑凹陷处的横向尺寸为1～3um，纵向深度1nm～5nm，凹陷部分的表面积占钽酸锂晶片表面积的20%～80%；再进行超声清洗，获得最终的钽酸锂单抛片。
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