[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案有效
| 申请号： | 201710864959.3 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545252B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王淑如;龙镜丞;郭有策;陈建宏;黄俊宪;黄莉萍;曾俊砚;庄孟屏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;H01L27/02;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)的布局图案，包含一基底，一第一上拉晶体管(PL1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PL2)以及一第二下拉晶体管(PD2)位于该基底上，另包含一第一存取晶体管(PG1A)，一第二存取晶体管(PG1B)，第三存取晶体管(PG2A)以及一第四存取晶体管(PG2B)，其中该PG1A与该PG1B包含有一相同的第一鳍状结构，该PG2A与该PG2B包含有一相同的第二鳍状结构，一第一区域连接层，位于该PG1A与该PG1B之间，且位于该PL1与该PD1所包含的该鳍状结构上，以及一第二区域连接层，位于该PG2A与该PG2B之间，且位于PL2与该PD2所包含的该鳍状结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 布局 图案 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)的布局图案，包含：基底；第一反相器，包含有第一上拉晶体管(PL1)以及第一下拉晶体管(PD1)位于该基底上；第二反相器，包含有第二上拉晶体管(PL2)以及第二下拉晶体管(PD2)位于该基底上，其中该第一反相器与该第二反相器互相耦合；第一存取晶体管(PG1A)及第二存取晶体管(PG1B)与该第一反相器输出端连接，一第三存取晶体管(PG2A)以及一第四存取晶体管(PG2B)与该第二反相器输出端连接，其中该PG1A的一栅极与该PG2A的一栅极连接至一第一字符线，该PG1B的一栅极与该PG2B的一栅极连接至一第二字符线；各晶体管都包含有栅极结构跨越至少一鳍状结构，其中该PG1A与该PG1B包含有相同的第一鳍状结构，该PG2A与该PG2B包含有一相同的第二鳍状结构；第一区域连接层，位于该PG1A与该PG1B之间，且位于该PL1与该PD1所包含的该鳍状结构上；以及第二区域连接层，位于该PG2A与该PG2B之间，且位于该PL2与该PD2所包含的该鳍状结构上。
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