[发明专利]一种GaN基白光LED外延结构及制备方法有效
| 申请号： | 201710818343.2 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107681025B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李虞锋;云峰;张维涵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种GaN基白光LED外延结构及制备方法，该制备方法包括以下步骤：使用反应磁控溅射在稀土元素掺杂YAG陶瓷或单晶衬底上制备单晶或多晶氮氧化铝、氮化铝双层缓冲层；使用金属有机化学气相沉积在所述单晶或多晶氮化铝缓冲层上生长GaN基LED外延结构，其中，GaN基LED外延结构自下而上依次为低温GaN缓冲层、高温GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、P型GaN层和高掺杂P型电极接触层。本发明制备的GaN基白光LED外延结构可以非常精确地控制荧光材料的掺杂、厚度和质量等光学特型和物理特性，实现重复率非常高、均匀度非常好的荧光材料集成，并解决传统点胶(涂覆)型白光LED中荧光粉、胶体散射导致的光损失与荧光粉受热退化造成的光效降低、色坐标偏移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 白光 led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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