[发明专利]半导体设备清洗方法及其半导体工艺方法有效
| 申请号： | 201710799686.9 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109473330B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;B08B9/08;B08B7/00;B08B5/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备清洗方法及其半导体工艺方法，清洗方法包括以下步骤：1）将反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的第一降温速率快速降温至第二预设温度；2）将反应腔室内的温度自第二预设温度以预设的第二降温速率快速降温至第三预设温度；在两个快速降温过程中，反应腔室内壁上沉积的薄膜在热应力的作用下裂解剥落；快速降温的同时，向反应腔室内部通入清洗气体进行清洗，以将剥落的薄膜排出反应腔室。本发明不仅能有效去除残留于半导体设备反应腔室内部的残留气体和颗粒，还能有效去除反应腔室内壁上的不稳定薄膜，从而提高产品良率。本方法操作简单，成本低廉，并且不额外占用生产时间而不会对设备的产出率造成任何不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 清洗 方法 及其 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备清洗方法，半导体设备包括反应腔室，所述反应腔室内壁上沉积有薄膜，其特征在于，所述清洗方法至少包括以下步骤：1)将所述反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的第一降温速率快速降温至第二预设温度；及，2)将所述反应腔室内的温度自第二预设温度以预设的第二降温速率快速降温至第三预设温度；在上述两个快速降温过程中，所述反应腔室内壁上沉积的所述薄膜在热应力的作用下裂解剥落；其中，在快速降温的同时，向所述反应腔室内部通入清洗气体进行清洗，以将剥落的薄膜排出所述反应腔室；将所述反应腔室内的温度自第一预设温度以预设的第一降温速率快速降温至第二预设温度的过程中通入的所述清洗气体的流量小于将所述反应腔室内的温度自第二预设温度以预设的第二降温速率快速降温至第三预设温度的过程中通入的所述清洗气体的流量。
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