[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含第一堆叠中介层、第一晶片、以及多个第二凸块。第一堆叠中介层包含第一中介层、多个第一导电柱、多个第一凸块、以及第一重分布层。第一中介层具有第一表面和与其相对的第二表面。多个第一导电柱从第一中介层的第一表面穿透至第二表面。多个第一凸块位于第一中介层的第一表面的一侧并电性连接这些第一导电柱。第一表面具有净空区域，此净空区域无第一凸块。第一重分布层位于第一中介层的第二表面上。第一晶片位于第一重分布层的上方。第一晶片在垂直第一表面的方向上与第一中介层的第一表面的净空区域对齐。多个第二凸块连接第一重分布层和第一晶片。中介层可以用作通用元件，以节省成本。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：第一堆叠中介层，包含：第一中介层，具有第一表面及与其相对的第二表面；多个第一导电柱，从所述第一中介层的所述第一表面穿透至所述第二表面；多个第一凸块，位于所述第一中介层的所述第一表面的一侧，并电性连接所述多个第一导电柱，其中所述第一表面具有净空区域，所述净空区域无所述多个第一凸块；以及第一重分布层，位于所述第一中介层的所述第二表面上；第一晶片，位于所述第一重分布层的上方，其中所述第一晶片在垂直所述第一表面的方向上与所述第一中介层的所述第一表面的所述净空区域对齐；以及多个第二凸块，连接所述第一重分布层和所述第一晶片。