[发明专利]适用于低电源电压工作的电压基准电路在审
申请号: | 201710778005.0 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107422775A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 董桥 | 申请(专利权)人: | 无锡泽太微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙)44357 | 代理人: | 徐炫 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种适用于低电源电压工作的电压基准电路,包括NMOS管M1、M2、M6,PMOS管M3、M4、M5,电阻R1‑R4,以及运算放大器OPA,本发明的运放、电阻、MOS管构成一个负反馈环路。本发明能够在低电源电压下产生不随温度变化的基准电压。本发明的电路结构为了降低电压基准电路的最低工作电压,同时采用了三种方法第一,用MOS管代替PNP晶体管,降低了结电压;第二,用电流相加代替电压相加,降低了最低工作电压;第三,使用衬底电流驱动的PMOS管降低了阈值电压Vthp,采用这三种方法的电压基准电路最低工作电压小于1V。 | ||
搜索关键词: | 适用于 电源 电压 工作 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种适用于低电源电压工作的电压基准电路,其特征在于:包括NMOS管M1、M2、M6,PMOS管M3、M4、M5,电阻R1‑R4,以及运算放大器OPA;所述NMOS管M6、所述NMOS管M1和所述NMOS管M2的源极分别接地,所述NMOS管M1和所述NMOS管M2的栅极分别连接各自的漏极,所述PMOS管M3、所述PMOS管M4和所述PMOS管M5的源极分别接电源电压;所述NMOS管M1的漏极通过所述电阻R3连接至所述PMOS管M3的漏极,所述NMOS管M2的漏极连接至所述PMOS管M4的漏极,所述NMOS管M6的漏极分别连接所述PMOS管M3、所述PMOS管M4和所述PMOS管M5的衬底电压,所述PMOS管M5的漏极通过所述电阻R4接地;所述运算放大器OPA的正相输入端通过所述电阻R2接地,所述运算放大器OPA的反相输入端接至所述PMOS管M3的漏极,所述运算放大器OPA的反相输入端和地之间连接所述电阻R1,所述运算放大器OPA的正相输入端还连接所述NMOS管M2的漏极,所述运算放大器OPA的输出端分别连接所述PMOS管M5、所述PMOS管M3和所述PMOS管M4的栅极,所述PMOS管M3和所述PMOS管M4的栅极连接。
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