[发明专利]适用于低电源电压工作的电压基准电路在审

专利信息
申请号: 201710778005.0 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN107422775A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 董桥 申请(专利权)人: 无锡泽太微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙)44357 代理人: 徐炫
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种适用于低电源电压工作的电压基准电路,包括NMOS管M1、M2、M6,PMOS管M3、M4、M5,电阻R1‑R4,以及运算放大器OPA,本发明的运放、电阻、MOS管构成一个负反馈环路。本发明能够在低电源电压下产生不随温度变化的基准电压。本发明的电路结构为了降低电压基准电路的最低工作电压,同时采用了三种方法第一,用MOS管代替PNP晶体管,降低了结电压;第二,用电流相加代替电压相加,降低了最低工作电压;第三,使用衬底电流驱动的PMOS管降低了阈值电压Vthp,采用这三种方法的电压基准电路最低工作电压小于1V。
搜索关键词: 适用于 电源 电压 工作 基准 电路
【主权项】:
一种适用于低电源电压工作的电压基准电路,其特征在于:包括NMOS管M1、M2、M6,PMOS管M3、M4、M5,电阻R1‑R4,以及运算放大器OPA;所述NMOS管M6、所述NMOS管M1和所述NMOS管M2的源极分别接地,所述NMOS管M1和所述NMOS管M2的栅极分别连接各自的漏极,所述PMOS管M3、所述PMOS管M4和所述PMOS管M5的源极分别接电源电压;所述NMOS管M1的漏极通过所述电阻R3连接至所述PMOS管M3的漏极,所述NMOS管M2的漏极连接至所述PMOS管M4的漏极,所述NMOS管M6的漏极分别连接所述PMOS管M3、所述PMOS管M4和所述PMOS管M5的衬底电压,所述PMOS管M5的漏极通过所述电阻R4接地;所述运算放大器OPA的正相输入端通过所述电阻R2接地,所述运算放大器OPA的反相输入端接至所述PMOS管M3的漏极,所述运算放大器OPA的反相输入端和地之间连接所述电阻R1,所述运算放大器OPA的正相输入端还连接所述NMOS管M2的漏极,所述运算放大器OPA的输出端分别连接所述PMOS管M5、所述PMOS管M3和所述PMOS管M4的栅极,所述PMOS管M3和所述PMOS管M4的栅极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡泽太微电子有限公司,未经无锡泽太微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710778005.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top