[发明专利]一种测量汞蒸气的芯片的制备方法及其传感器的使用方法

摘要

本发明公开了一种测量汞蒸气的芯片，其包括硅衬底层；中间层，中间层包括自下而上依次层叠设置的Bragg声学反射层、种子层和压电薄膜层，且Bragg声学反射层设于硅衬底层上；两组电极组件，每一电极组件均包括设于压电薄膜层上的接地电极和信号电极，接地电极为C形并形成一收容区，信号电极收容于收容区；汞可逆吸附薄膜层，汞可逆吸附薄膜层设于其中一组电极组件的信号电极上，使该组电极组件和汞可逆吸附薄膜层共同形成测量单元信号电极，另一组电极组件形成参考单元信号电极。本发明还提供了芯片的制备方法、装配有芯片的传感器及该传感器的使用方法。本发明结构简单、精度高、抗干扰能力强、易于大批量生产，能够广泛应用于各类工业排放检测系统。

主权项

一种测量汞蒸气的芯片，其特征在于，其包括：硅衬底层(1)；中间层(2)，所述中间层(2)包括自下而上依次层叠设置的Bragg声学反射层(20)、种子层(21)和压电薄膜层(22)，且所述Bragg声学反射层(20)设于所述硅衬底层(1)上；两组电极组件(3)，每一组所述电极组件(3)均包括设于所述压电薄膜层(22)上的接地电极(30)和信号电极(31)，所述接地电极(30)为C形并形成一收容区(300)和一开口(301)，所述信号电极(31)收容于所述收容区(300)；一个汞可逆吸附薄膜层(4)，所述汞可逆吸附薄膜层(4)设于其中一组所述电极组件(3)的信号电极(31)上，使该组所述电极组件(3)和所述汞可逆吸附薄膜层(4)共同形成测量单元信号电极(5)，另一组所述电极组件(3)形成参考单元信号电极(6)。