[发明专利]硅晶片的洗涤方法

摘要

本发明的硅晶片的洗涤方法的特征在于，具有将硅晶片依次进行浸渍的工序：(1)浸渍于溶解臭氧水溶液等中；(2)浸渍于包含过氧化氢及氢氧化铵的水溶液中；(3)浸渍于溶解臭氧水溶液等中；(4)浸渍于包含具有羧基的有机酸或有机酸盐及氢氟酸的水溶液中；(5)浸渍于包含含有羧基的有机酸或有机酸盐的水溶液中；(6)浸渍于纯水中；以及(7)浸渍于溶解臭氧水溶液等中。由此，不仅可以减少粒径0.1μm以上的大的颗粒，而且也可以减少粒径0.045μm以下的小的颗粒和粒径超过0.045μm且不足0.1μm的中间尺寸的颗粒。

主权项

1.硅晶片的洗涤方法，其特征在于，具有下述的工序：第1工序，将硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的第1氧化液中；第2工序，前述第1工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含过氧化氢及氢氧化铵的水溶液中；第3工序，前述第2工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的第2氧化液中；第4工序，前述第3工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含具有羧基的有机酸或有机酸盐及氢氟酸的水溶液中；第5工序，前述第4工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含含有羧基的有机酸或有机酸盐的水溶液中；第6工序，前述第5工序之后，将前述硅晶片浸渍于纯水中；以及第7工序，前述第6工序之后，将前述硅晶片浸渍于包含选自溶解臭氧水溶液、硝酸和过氧化氢水溶液的1种或2种以上的第3氧化液中。