[发明专利]一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺

摘要

本发明涉及一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺，属于硅料生产制备领域，包括以下步骤，①取料、②初次除杂、③升温预处理、④冷却预处理、⑤硅料破碎、⑥除杂等步骤，通过采用冷热交替并且通过将负温度值应用到生产工艺中，具备良好的除杂效果，简化了工艺步骤，无需烘干，进而杜绝了水渍的出现，不存在水渍的风险，具备良好的生产效用，大大提高了回收率。

主权项

1.一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺，其特征在于：①取料，采用无污染夹具取出需进行处理的常温半溶底部籽晶硅料；②初次除杂，使用打磨工具剔除半溶底部籽晶硅料外表层的形成的坩埚杂质层，坩埚杂质层为硅料在前序生产中与坩埚相接触而形成石英混合物杂质层；③升温预处理，采用纯水对半溶底部籽晶硅料表面进行清洗，清洗完毕后采用无污染夹具将半溶底部籽晶硅料置入烘箱内，烘箱逐渐升温对半溶底部籽晶硅料进行加热，待半溶底部籽晶硅料的中心温度达到150°‑200°之间的任意一数值时，停止烘箱升温保持烘箱此刻的温度，保持时长大于等于3小时；④冷却预处理，步骤③中的高温半溶底部籽晶硅料迅速置入液氮罐中进行急速冷却，冷却时长大于等于30分钟小于等于1小时；⑤硅料破碎，步骤④中冷却完毕的硅料迅速置入气流粉碎机中，采用高压惰性气体对硅料进行破碎，破碎时长大于等于45分钟小于等于1小时；⑥除杂，将破碎完毕的硅料放置至室温，并依次进行碱洗和酸洗，清洗完毕后得到高纯洁度硅料。