[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710739994.2 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427932B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;项博媛 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 谭果林 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。所述方法包括：提供一蓝宝石衬底(1)，并在所述蓝宝石衬底(1)上依次生长GaN本征层(2)、GaN n型层(3)、发光层(4)和GaN p型层(5)，在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN n型层(3)之间生长应力调整层(6)，其中，所述应力调整层(6)的晶格常数介于蓝宝石和GaN之间。这样能够减小蓝宝石与GaN之间的晶格失配，从而减小外延片在生长过程中以及生长完成后发生的翘曲，提高外延片产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，所述方法包括：提供一蓝宝石衬底(1)，并在所述蓝宝石衬底(1)上依次生长GaN本征层(2)、GaN n型层(3)、发光层(4)和GaN p型层(5)，其特征在于：在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN n型层(3)之间生长应力调整层(6)，其中，所述应力调整层(6)的晶格常数介于蓝宝石和GaN之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪半导体股份有限公司，未经比亚迪半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710739994.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
