[发明专利]晶闸管的制造方法有效
| 申请号： | 201710725954.2 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107481931B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘峰松 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;罗朗 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶闸管的制作方法，所述制作方法包括：S1、在P‑离子的半导体衬底内的进行P‑离子和N‑离子的注入，制作P阱和N阱；S2、第一次加热处理进行P阱与N阱的结推进；S3、在所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S4、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S5、对半导体衬底进行深槽隔离。本发明的晶闸管的制作方法是以平面工艺结构制造的晶闸管，步骤简单，对工艺要求低，保证了成品率且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶闸管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作P阱和N阱；S2、第一次加热处理进行P阱与N阱的结推进；S3、在所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S4、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S5、对半导体衬底进行深槽隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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