[发明专利]倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法有效
| 申请号： | 201710702619.0 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107416760B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 凤瑞 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00;G01D5/24 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英;董建林 |
| 地址： | 233040*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔，然后对晶圆片A进行氧化形成二氧化硅保护层；去除硅电极层表面的二氧化硅保护层，在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体；在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B的硅电极层上；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面，使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆片 硅电极 键合 敏感结构 陶瓷管壳 倒置 硅衬底 加工 二氧化硅保护层 导电通孔 封装结构 应力释放 硅帽 去除 装配 二氧化硅隔离层 应力释放槽 表面粘胶 电极结构 封装工艺 盖板密封 键合工艺 金属引线 刻蚀工艺 腔体底面 电连接 可伐 锚点 腔体 深槽 引脚 封装 制作 合金 体内 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1：在标准的SOI晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔，然后对SOI晶圆片A进行氧化，形成二氧化硅保护层；步骤2：去除SOI晶圆片A上硅电极层表面的二氧化硅保护层，在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体；步骤3：在敏感结构腔体内加工出电极结构；步骤4：采用键合工艺将另一片SOI晶圆片B的硅电极层键合到SOI晶圆片A的硅电极层上；步骤5：去除标准的SOI晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；步骤6：在SOI晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；步骤7：采用键合工艺，将硅帽键合到SOI晶圆片B的硅电极层上，将敏感结构密封到硅帽的腔体与敏感结构腔体形成的空间中；步骤8：划片形成MEMS裸芯片，然后通过将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面，将MEMS裸芯片倒置装配，使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳；在SOI晶圆片A的硅衬底上还刻蚀有应力释放槽。
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