[发明专利]空穴钝化隧穿薄膜、制备方法及其在太阳电池中的应用在审
| 申请号： | 201710694413.8 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107644805A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;廖明墩;曾俞衡;高平奇;王丹;韩灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0216;H01L31/20 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空穴钝化隧穿薄膜主要成分为氮化硅(SiNx)，薄膜厚度为0.5‑3nm，氮化硅性质稳定、耐高温，有利于集成高温处理，且对晶硅表面有良好的化学钝化效果，其中氮化硅的电子亲和能为1.71eV，禁带宽度为5.31eV，与硅的导带带阶为2.34eV、价带带阶为1.85eV，空穴的隧穿势垒比电子的隧穿势垒低了近1eV，十分有利于对空穴的选择性隧穿；此外氮化硅具有很好的杂质阻挡能力，有利于降低空穴选择层材料或其他功能层中杂质的内扩散，保持界面和体硅的洁净度；而厚度在3nm以下的氮化硅薄膜有最佳的隧穿效率，本发明采用了等离子体辅助或热辅助原子层沉积方法沉积氮化硅薄膜能够获得该厚度的超薄氮化硅薄膜，操作简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 钝化 薄膜 制备 方法 及其 太阳电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种空穴钝化隧穿薄膜，主要组成成分为氮化硅，薄膜厚度为0.5‑3nm。
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