[发明专利]闪存及闪存的制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存及闪存的制备方法，所述浮栅结构的第一浮栅尖端与所述衬底的源极接触，所述浮栅结构的第二浮栅尖端与所述衬底的漏极接触，在擦除浮栅中存储的数据时，由于浮栅尖端是对准源极和漏极的，源极和漏极又与位线相连，可以通过位线擦除的方式，即在位线上施加正向电压，在控制栅上施加负向电压，既提高擦除效率，又降低擦除电压、减小了功耗。

主权项

一种闪存，其特征在于，所述闪存包括衬底及形成于衬底上的栅极结构，所述衬底中形成有源极和漏极；所述栅极结构包括第一浮栅、第二浮栅、第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅位于所述第一浮栅上，所述第二控制栅位于所述第二浮栅上；所述第一浮栅形成有第一浮栅尖端，所述第二浮栅形成有第二浮栅尖端；所述第一浮栅尖端与所述源极接触，所述第二浮栅尖端与所述漏极接触。