[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括步骤：提供基板，在基板表面设置第一金属层；采用第一道光罩制程形成栅极及信号线；在基板暴露的表面、栅极表面及信号线表面依次形成栅极绝缘层、有源层及刻蚀阻挡层；采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层源极区域及漏极区域暴露；在上述基板结构表面依次形成第二金属层、第一光阻层及第二光阻层，第一光阻层为有机光阻层；采用第三道光罩制程形成源极和漏极，并形成透明电极，源极与信号线的暴露区域及有源层的源极区域连接，漏极与有源层的漏极区域连接，透明电极与漏极连接，在此步骤中，第一光阻层被保留；退火处理，以使第一光阻层融化，并包覆源极和漏极暴露的表面。

主权项

1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一基板，在所述基板表面设置一第一金属层；/n采用第一道光罩制程形成栅极及信号线；/n在所述基板暴露的表面、所述栅极表面及所述信号线表面依次形成栅极绝缘层、有源层及刻蚀阻挡层；/n采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层的源极区域及漏极区域暴露；/n在上述基板结构表面依次形成第二金属层、第一光阻层及第二光阻层，所述第一光阻层为有机光阻层；/n采用第三道光罩制程形成源极和漏极，并形成透明电极，所述源极与信号线的暴露区域及有源层的源极区域连接，所述漏极与所述有源层的漏极区域连接，所述透明电极与所述漏极连接，在此步骤中，所述第一光阻层被保留；并且，此步骤具体为：/n图形化所述第一光阻层及第二光阻层，暴露出源极及漏极之外的第二金属层，在漏极与所述透明电极连接区域仅去除第二光阻层并仅保留第一光阻层；/n去除暴露的第二金属层，形成源极及漏极；/n去除所述漏极与透明电极连接区域的第一光阻层；/n沉积透明电极层；/n去除所述第二光阻层及所述第二光阻层上的透明电极层，剩余的透明电极层形成透明电极，所述透明电极与所述漏极连接；/n退火处理，以使所述第一光阻层融化，并包覆所述源极和漏极暴露的表面。/n