[发明专利]一种提高光萃取效率的UVLED结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710644311.5 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326689A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王成新;徐现刚;郑兆河;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种提高光萃取效率的UV LED结构及其制备方法，其结构包括衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、掺Mg的P型AlzGa1‑zN电子阻挡层和P型欧姆接触层，P型欧姆接触层为金刚石薄膜；其制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次生长AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区和AlzGa1‑zN电子阻挡层，得到AlGaN基外延片；(2)在AlzGa1‑zN电子阻挡层上生长掺杂B元素的厚度为3‑200nm的金刚石薄膜。本发明以金刚石薄膜为欧姆接触层的结构，消除了接触层对UV光的吸收问题，可以大幅度提升UV LED的光萃取效率。同时，载流子浓度得到有效提升，从而更有效形成欧姆接触层，降低器件工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 光萃取效率 金刚石薄膜 制备 多量子阱有源区 欧姆接触层 非掺杂 缓冲层 衬底 载流子 工作电压 降低器件 生长 接触层 外延片 掺杂 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种提高光萃取效率的UV LED结构，包括自下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、掺Mg的P型AlzGa1‑zN电子阻挡层和P型欧姆接触层，其特征是：欧姆接触层为金刚石薄膜。
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