[发明专利]一种恒定跨导放大器电路有效
| 申请号： | 201710603007.6 | 申请日： | 2017-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107395146B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海军陶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪继祖 |
| 地址： | 201611 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种恒定跨导放大器电路，属于半导体集成电路技术领域。解决了现有跨导放大器的跨导随应用环境变化比较大的技术问题。该电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第一电阻和第二电阻。本发明的恒定跨导放大器电路，该电路在传统的跨导放大器电路的基础上引入了第一电阻和第二电阻。使得跨导放大器的跨导与偏置电流大小、输入对管大小和跨导放大器的工作状态无关。如果本发明的恒定跨导放大器运用于DC‑DC等电源系统中，将大大有利于系统的环路稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恒定 放大器 电路 | ||
【主权项】：
一种恒定跨导放大器电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第五PMOS晶体管P5、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第一电阻R1和第二电阻R2；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极接第二PMOS晶体管P2的栅极以及第一NMOS晶体管N1的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，漏极接跨导放大器电路的输出端OUT；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，栅极接偏置电流输入端BIAS，漏极接第一电阻R1和第二电阻R2的一端；第一电阻R1的另一端接第四PMOS晶体管P4的源极；第二电阻R2的另一端接第五PMOS晶体管P5的源极；第四PMOS晶体管P4的栅极接跨导放大器的负输入端INN，漏极接第二NMOS晶体管N2的栅极和漏极以及第一NMOS晶体管N1的栅极；第五PMOS晶体管P5的栅极接跨导放大器的正输入端INP，漏极接第三NMOS晶体管N3的栅极和漏极以及第四NMOS晶体管N4的栅极；第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4的源极都接地，第四NMOS晶体管N4的漏极接跨导放大器的输出端OUT。
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