[发明专利]发光结构、显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201710600933.8 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN107331689A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 王庆贺;胡大庆;彭锐;苏同上;李广耀;张扬;王东方;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/52;H01L51/48 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 辛姗姗 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种发光结构、显示装置及其制作方法。本发明提供的发光结构中,在柔性基板上层叠设置有薄膜晶体管和有机发光二极管结构层,薄膜晶体管内设置有光敏半导体层,光敏半导体层将从有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流,以增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流,提高有机发光二极管结构层的发光亮度,因此本发明实施例提供的发光组件可以在较低的控制电压下获得较强的光源亮度,具有低功耗、带电时间长等优点。 | ||
搜索关键词: | 发光 结构 显示装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光结构,其特征在于,包括层叠设置的薄膜晶体管和有机发光二极管结构层;所述薄膜晶体管设置有光敏半导体层,所述光敏半导体层将从所述有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流,所述增强电流用于增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710600933.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板及其制备方法
- 下一篇:有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的