[发明专利]一种基于二次湿法刻蚀的处理方法有效
| 申请号： | 201710585727.4 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107342217B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二次湿法刻蚀的处理方法，包括以下步骤：S1：在经过一次刻蚀后，采用烘烤的方式处理一次刻蚀完成后的晶圆，增加光胶与晶圆的附着力；S2：采用反应离子束方法处理晶圆表面，在光胶表面形成一层高分子聚合物；S3：采用一定浓度的氨水去除一次刻蚀形成的颗粒；S4：进行二次刻蚀。本发明在进行二次刻蚀前，增加光胶烘烤工艺，并结合含C的F基气体处理光胶的方式，增加表面附着力，在表面形成一层高聚物，采用氨水等弱碱溶液处理表面，去除表面附着颗粒。在精确控制刻蚀深度的同时，进一步提高刻蚀质量，确保化合物半导体器件的良好性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二次 湿法 刻蚀 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二次湿法刻蚀的处理方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在经过一次刻蚀后，采用烘烤的方式处理一次刻蚀完成后的晶圆，增加光胶与晶圆的附着力；S2：采用反应离子束方法处理晶圆表面，在光胶表面形成一层高分子聚合物；所述聚合物在浓度为1％～5％的氨水去除颗粒工艺时，保护光胶免受氨水攻击；S3：采用一定浓度的氨水去除一次刻蚀形成的颗粒，具体为去除表面附着颗粒；所述的氨水的浓度为1％～5％；S4：进行二次刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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