[发明专利]集成真空微电子结构及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及集成真空微电子结构及其制造方法。描述了一种集成真空微电子结构，该结构包括：高掺杂半导体衬底；置于所述掺杂半导体衬底上方的第一绝缘层；置于所述第一绝缘层上方的第一导电层；置于所述第一导电上方的第二绝缘层；形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层内的真空沟槽，该真空沟槽延伸至高掺杂半导体衬底；置于所述真空沟槽上方的第二导电层，其作为阴极；置于所述掺杂半导体衬底下的第三金属层，其作为阳极；将所述第二导电层置于与所述真空沟槽的上边缘相邻，其中所述第一导电层被所述第二绝缘层的部分与所述真空沟槽分隔开，并且该第一导电层与所述第二导电层电接触。

主权项

1.一种集成真空微电子结构，包括：高掺杂半导体衬底；第一绝缘层，位于所述高掺杂半导体衬底的第一侧上；第一导电层，位于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，位于所述第一导电层上；真空沟槽，形成在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中，并且延伸至所述高掺杂半导体衬底；第二导电层，位于所述真空沟槽之上，并且被配置为阴极；第三导电层，位于所述高掺杂半导体衬底的第二侧上，并且被配置为阳极；以及第四导电层，具有位于所述第二导电层之上的第一部分和从所述第二导电层穿过所述第二绝缘层延伸至所述第一导电层的第二部分，所述第二导电层与所述真空沟槽的上边缘相邻，所述第一导电层通过所述第二绝缘层的部分与所述真空沟槽分隔开。